德國Palas 公司生產(chǎn)的Welas2000 氣溶膠粒徑譜儀, 如圖3 所示。主要由控制器與顆粒測(cè)量傳感器組成, 采用光散射原理實(shí)現(xiàn)對(duì)氣溶膠濃度與粒徑圖2 　單級(jí)旋流管測(cè)試原理示意圖分布的測(cè)量, 廣泛用于歐洲各國過濾介質(zhì)與分離設(shè)備效率的檢測(cè)?？刂破鲹碛幸粋€(gè)真空泵, 可以吸入被測(cè)含塵氣體, 粉塵顆粒最后吸附在控制器自帶的高效過濾濾芯上。控制器上裝有白光燈泡和光纖,它們是測(cè)量的關(guān)鍵部件。在測(cè)量時(shí)由控制器自帶的真空泵定流量(5 L/min)采樣, 采出的氣體進(jìn)入到Welas 顆粒測(cè)量傳感器中, 在顆粒通過光學(xué)測(cè)量空間時(shí), 一束從光纖傳過來的白光照射在氣溶膠上, 粒子就會(huì)對(duì)光產(chǎn)生漫散射, 散射信號(hào)經(jīng)另一根光纖傳入控制系統(tǒng), 在其中進(jìn)行信號(hào)處理, 然后將處理后的結(jié)果傳入電腦, 經(jīng)專門軟件進(jìn)行分析整理。Welas氣溶膠顆粒測(cè)量傳感器采用具有專利技術(shù)的T 型孔徑、以保證檢測(cè)的精確性。其測(cè)量原理是利用系統(tǒng)發(fā)出均勻的白光照射在有限的測(cè)量體積內(nèi), 來確定發(fā)生漫反射的粒子的尺寸和分布, 其工作原理如圖4 所示。被測(cè)粒子稀釋后, 逐個(gè)通過受測(cè)體積, 它們會(huì)產(chǎn)生一個(gè)具有一定強(qiáng)度的發(fā)散光脈沖。由于測(cè)定是依據(jù)被稀釋后一個(gè)個(gè)單一的球體粒子而不是粒子的聚集, 所以這些脈沖是符合米氏散射理論的。由粒子發(fā)出的發(fā)散光強(qiáng)度在90°時(shí)可以被檢測(cè)到,通過光的強(qiáng)度就可測(cè)出粒子的大小, 計(jì)算發(fā)散光脈沖個(gè)數(shù)就可統(tǒng)計(jì)出粒子數(shù)量, 結(jié)合測(cè)量前輸入的顆Welas2000 配有控制與數(shù)據(jù)處理軟件, 采用圖形操作界面, 能夠?qū)崿F(xiàn)在線數(shù)據(jù)采集與分析。在測(cè)量程序部分, 此軟件可設(shè)定采樣次數(shù)、采樣時(shí)間、采樣間隔、采樣體積單元大小以及樣品密度等參數(shù), 它不但能進(jìn)行單獨(dú)的測(cè)定實(shí)驗(yàn), 還可以進(jìn)行連續(xù)的實(shí)驗(yàn)。在測(cè)定完成后, 就可以進(jìn)入分析程序部分, 對(duì)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行分析, 從圖表中可以得到數(shù)量濃度、質(zhì)量濃度、體積濃度、分級(jí)效率以及相對(duì)數(shù)量、體積、質(zhì)量的中位粒徑等數(shù)據(jù)?！?duì)錐面掉塊部位進(jìn)行了宏觀與金相組織檢查得出引起錐面掉塊的裂紋源位于錐面中心部位, 且正處于錐面磨損嚴(yán)重, 與氣門座結(jié)合的溝槽處。其產(chǎn)生主要原因分析為:錐面長時(shí)間處于高負(fù)荷、高沖擊作用力的磨損下, 在其表面形成了一道明顯溝槽,更加劇了沖擊力的集中, 從而導(dǎo)致錐面溝槽處受垂直作用力的情況下長時(shí)間疲勞磨損而產(chǎn)生裂紋, 以致掉塊。2 .2 對(duì)盤外圓處缺口進(jìn)行宏觀檢查得出:缺口因受到高溫、高氣流的腐蝕與沖擊更加增大, 表面有受到高溫?zé)g的痕跡。對(duì)其附近基體組織檢查發(fā)現(xiàn)其中保留有馬氏體位相的組織, 是屬于堆焊后去應(yīng)力回火遺留組織。由于馬氏體組織比容大在高溫下受熱膨脹極其容易發(fā)生變形, 且塑性差。從而分析引起產(chǎn)生盤外圓缺口的主要原因是:盤部基體組織中殘留的馬氏體組織在高溫下受熱膨脹發(fā)生變形、產(chǎn)生內(nèi)應(yīng)力, 導(dǎo)致盤外圓裙邊菱角處應(yīng)力集中而開裂。并受長時(shí)間的高溫、高壓氣流沖刷作用下形成塑性掉塊。3 　主要改進(jìn)措施根據(jù)氣門失效的特征及宏觀與金相分析制定以下改進(jìn)措施:3 .1 　錐面整體掉塊的主要改進(jìn)措施改善氣門工作受力狀況, 提高錐面硬度及其耐磨性。3 .2 　盤部外圓崩缺的主要改進(jìn)措施錐面堆焊后應(yīng)及時(shí)去應(yīng)力回火, 合理選擇回火時(shí)間、溫度及保證爐內(nèi)溫度的均勻性, 回火后應(yīng)檢測(cè)其熱影響區(qū)基體硬度。